三星即将发布创新ddr5内存：12纳米工艺引领行业新风向-凯发游戏

2月5日消息，三星在固态电路技术的前沿再次迈出坚定步伐。据悉，三星计划在即将到来的2024年ieee国际固态电路峰会上，向全球展示其多款尖端内存产品，其中不乏此前已引发业内关注的gddr7内存。

除了gddr7外，三星还将带来一款突破性的ddr5内存芯片。这款芯片采用了先进的12纳米级工艺技术，实现了在相同封装尺寸下，容量达到16gb ddr5 dram的两倍，即32gb。这一创新不仅优化了内存结构，更预示着未来内存技术的新方向。

据了解，这款ddr5内存的i/o速度令人印象深刻，每个引脚高达8000mbps。其设计基于三星第五代10nm级晶圆代工节点的symmetric-mosaic架构，这一架构是专门为dram产品量身定制的，以优化性能和效率。

三星电子内存产品和技术执行副总裁sangjoon hwang在谈及这款新产品时表示：“通过我们的12nm级32gb dram，我们已经找到了实现高达1tb dram模块的凯发游戏的解决方案。这使我们能够满足人工智能和大数据时代对高容量dram的迫切需求。我们将继续推动工艺和设计技术的创新，以突破内存技术的极限。”

以往使用16gb dram制造的ddr5 128gb模块需要依赖硅通孔(tsv)工艺。然而，三星的新32gb dram无需tsv工艺即可生产128gb模块，这不仅简化了生产过程，更使得功耗降低了约10%。对于正在努力应对人工智能不断增长能源需求的数据中心来说，这无疑是一个重要的进步。

此外，三星的最新ddr5技术还支持在单通道配置下以ddr5-8000速度构建32gb和48gb dimm，同时在双通道配置下支持64gb和96gb dimm。这一灵活性使得该技术能够适应多种不同的应用场景和需求。