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美光全球首发232层tlc闪存:性能翻倍、密度最高-凯发游戏
2022-07-27
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2021年全球首发176层堆栈的3d闪存之后,美光今天有全球首发了232层堆栈的tlc闪存,这是全然首个超过200层的闪存,也是业界密度最高的,接口速度提升到2.4gb/s,写入速度提升100%。美光技术和产品执行副总裁
2021年全球首发176层堆栈的3d闪存之后,美光今天有全球首发了232层堆栈的tlc闪存,这是全然首个超过200层的闪存,也是业界密度最高的,接口速度提升到2.4gb/s,写入速度提升100%。
美光技术和产品执行副总裁 scott deboer表示232层闪存是存储芯片创新的分水岭,首次证明了3d闪存有扩展到200层以上的能力。
指标方面,美光表示其232层tlc闪存引入了业内最快的io速度,可达2.4gb/s,比上代的176层闪存高出50%,同时写入带宽提升100%,读取带宽提升75%。
美光的232层闪存还是全球首个六平面tlc闪存,在tlc闪存中平面最多,而且每个平面都可以独立读取,高io速度、低延迟及六平面结构相结合使得232层闪存可以提供一流的数据传输能力。
此外,美光的232层闪存还是首款支持nv-lpddr4,后者是一种低压接口,相比之前的io接口,每比特的能效提升30%以上。
其他方面,美光的232层tlc闪存还是有史以来密度最高的,达到了14.6gb/mm2,比当前的tlc闪存高出35-100%,而且232层闪存使用了11.5x13.5mm封装,尺寸比前代产品小了28%,是市面上最小面积的高密度闪存,可以减少对电路板空间的占用。
目前美光的232层闪存已经在新加披工厂量产,最初会由美光旗下的英睿达品牌推出消费级ssd,后续再公告其他产品。
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